原厂标准完整型号: ISO5851DW

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC

系列: -

技术: 容性耦合

通道数: 1

电压 - 隔离: 5700Vrms

共模瞬态抗扰度（最小值）: 100kV/μs

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 110ns，110ns

脉宽失真（最大）: -

上升/下降时间（典型值）: 20ns，20ns

电流 - 输出高，低: 1.5A，3.4A

电流 - 峰值输出: 2.7A，5.5A

电压 - 正向（Vf）（典型值）: -

电流 - DC 正向（If）: -

电压 - 电源: 3 V ~ 5.5 V

工作温度: -40°C ~ 125°C

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装: 16-SOIC

认可: CQC，CSA，UR，VDE

TI(德州仪器) - ISO5851DW - IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC