技术应用信息
原厂标准完整型号: ISO5451DW
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
系列: -
技术: 容性耦合
通道数: 1
电压 - 隔离: 4250Vrms
共模瞬态抗扰度(最小值): 50kV/μs
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值): 110ns,110ns
脉宽失真(最大): -
上升/下降时间(典型值): 20ns,20ns
电流 - 输出高,低: 1.5A,3.4A
电流 - 峰值输出: 2.7A,5.5A
电压 - 正向(Vf)(典型值): -
电流 - DC 正向(If): -
电压 - 电源: 3 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
认可: CQC,CSA,UR,VDE
TI(德州仪器) - ISO5451DW - IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
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