原厂标准完整型号: CSD18533Q5AT

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

系列: NexFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 17A（Ta），100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 5.9 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2750pF @ 30V

功率 - 最大值: 3.2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-VSONP（3x3.15）

TI(德州仪器) - CSD18533Q5AT - MOSFET N-CH 60V 100A 8SON