技术应用信息
制造商零件编号:CSD16411Q3
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
系列:NexFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A(Ta),56A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):570pF @ 12.5V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-VSON (3.3x3.3)
TI(德州仪器) - CSD16411Q3 - MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
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