技术应用信息
制造商零件编号:CSD13303W1015
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
系列:NexFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):31A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 mOhm @ 1.5A、 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 6V
功率 - 最大值:1.65W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装:6-DSBGA
TI(德州仪器) - CSD13303W1015 - MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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